载流子

电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）
A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率

[单选]本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
A．电子载流子
B．空穴载流子
C．电子载流子和空穴载流子

三极管的反向电流ICBO是由()组成的

A、多数载流子

B、少数载流子

C、多数载流子和少数载流子

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

A、非平衡载流子浓度成正比；

B、平衡载流子浓度成正比；

C、非平衡载流子浓度成反比；

D、平衡载流子浓度成反比。

下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是(　　)
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子

(单选题)晶体三极管的反向电流是由()运动形成的。(本题2.0分)
A、多数载流子
B、少数载流子
C、扩散
D、少数载流子和多数载流子共同

(单选题)光敏电阻由于吸收了光量子能量，使得（）增加，导致电导率增加。(本题3.0分)
A、载流子温度
B、载流子浓度
C、载流子寿命
D、载流子迁移率

场效应管参与导电的载流子是（）。

A、电子

B、空穴

C、多数载流子

D、少数载流子

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）

A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散

B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移

C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散

D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移

MOSFET的温度特性体现为：（）。

A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高

B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降

C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高

D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降

以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是(　　)
A.本征半导体中的载流子只有自由电子B.本征半导体中的载流子只有空穴C.本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等D.本征半导体中的载流子浓度与温度无关

在N型杂质半导体中，多数载流子是，少数载流子是。

[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
A．正确
B．错误

[填空题]在P型半导体中（）是多数载流子；在N型半导体中电子是多数载流子。

15.(判断题)在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。()(本题2.0分)
A、正确
B、错误

利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（）。
A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。

(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分

1.(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分)

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少

C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。