请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管 （）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管 （）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
A、对
B、错
从半导体加工技术方面看，微机上一般多采用（）。
A、MOS晶体管
B、DOS晶体管
C、POS晶体管
跟DRAM相比，SRAM的特点是（）
A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高
B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高
C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高
D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
