控制系统的发展过程()
A、接触器、电机放大器、磁放大器、可控硅、采样控制
B、接触器、电机放大器、磁放大器、可控硅
C、接触器、电机放大器、可控硅、采样控制
D、接触器、磁放大器、可控硅、采样控制
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控制系统的发展过程()
A、接触器、电机放大器、磁放大器、可控硅、采样控制
B、接触器、电机放大器、磁放大器、可控硅
C、接触器、电机放大器、可控硅、采样控制
D、接触器、磁放大器、可控硅、采样控制
利用万用表测量小功率可控硅,测量方法是:万用表选择R×1K档,并将可控硅其中一个电极假定为G极,接黑表笔,然后,用红表笔分别接触余下的两个极。若有一次出现导通,则假定的控制极G是对的,而导通那次红表笔所接触的是(),余下的另一极为()。
A、阳极K;基极A
B、阳极K;阴极A
C、基极K;阳极A
D、阴极K;阳极A
SSB发射机前置放大器一般采用()
A、窄带放大器
B、窄带调谐放大器
C、宽带放大器
D、以上都不行
在各类低频放大器中,导通角为90º的是()
A、A类放大器
B、B类放大器
C、AB类放大器
D、D类放大器