接触电势差

有两个pn结，其中一个结的杂质浓度ND=5×1015cm-3，NA=5×1017cm-3另一个结的杂质浓度，ND=5×1017cm-3，NA=5×1019cm-3，在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差，并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同。

当2块金属接触时，为什么会产生接触电势差？

T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi、空间电荷区厚度W。

用波长为253nm的光照射钨丝的表面时，在光电管的电路中产生的光电流，由于外加1V的遏止电压而截止。已知钨的逸出功为4.5eV，试求接触电势差。

室温下利用光电效应已测得银及铯的光电效应阀值分别为4.8eV和1.8eV。求：（1）采用里查孙－杜师曼公式分别估算银及铯在室温下的热电子发射电流密度；（2）若温度上升至800K时，其热电子发射电流密度为多少？（3）若把银与铯两种金属接触在一起，求出室温下它们的接触电势差。