介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是()层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
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介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是()层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
电疗法基础知识中，“电介质在电学上呈中性，电介质分子中有一对正负电荷。在电场中电介质分子内正负电荷不重合，分子一端呈正电性，另一端呈负电性，为有极分子”属于（）
A、偶极子
B、交流电
C、离子水化
D、脉冲电流
E、方波电流
衡量电介质损耗的大小用（）表示。
A、相对电介质
B、电介质电导
C、电介质极化
D、介质损失角正切
（14分)氮化硅（Si3N4)是一种新型陶瓷材料，它可由石英与焦炭在高温的氮气流中，通过以下反应制得：
SiO2+ C+ N2
Si3N4+ CO
（1)配平上述反应的化学方程式（将化学计量数填在方框内)；
（2)该反应中的氧化剂是____\_，其还原产物是___________；
（3)该反应的平衡常数表达式为K=_______；
（4)若知上述反应为放热反应，则其反应热ΔH_____\__零（填“大于”“小于”或“等于”)；升高温度，其平衡常数值_______（填“增大”“减小”或“不变”)；
（5)若使压强增大，则上述平衡向_______反应方向移动（填“正”或“逆”)；
（6)若已知CO生成速率为v（CO)="18"mol·（L·min)－1,
则N2消耗速率为v（N2)=_______mol·（L·min)－1。
烷基化反应使用的物料很多为电介质,高速流动时最高可产生的静电电压达万伏以上。
