氮化硅
等离子增强反应沉积中，由于等离子体中（）、（）和（）相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
A炭化硅；
B铁屑；
C碳素；
D氮化硅
高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好（）。
A、常压烧结
B、热压烧结
C、反应烧结
D、气氛烧结
砂轮的磨料主要有（）。
A、刚玉类
B、硬质合金类
C、碳化硅类
D、超硬磨料类
E、氮化硅类
LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
A、对
B、错
下列哪种刀具材料的常温硬度最高？（）
A、氧化铝基陶瓷
B、氮化硅基陶瓷
C、人造金刚石
D、立方氮化硼
砂轮、磨料可用（）制造。
A、碳化硅或氧化锆
B、氧化锆或氧化铝
C、氧化铝或碳化硅
D、氮化硅或氧化锆
目前使用最多，性能最好的防弹材料是哪一种（）
A、天然高分子材料
B、钢板
C、氮化硅陶瓷
D、人工高分子合成材料及各种复合材料
下列哪种陶瓷特别适宜制作内燃机火花塞和高精度活塞（）
A、氧化铝陶瓷
B、碳化硅陶瓷
C、氮化硅陶瓷
D、硅酸盐陶瓷
氮化硅有优良的化学稳定性，除了（）外，能耐所有的无机酸和一些碱液，熔融碱和盐的腐蚀。
A、王水
B、氢氟酸
C、浓硝酸
D、浓硫酸
氮化硅的晶型及特点：α-Si3N4低温型（1400—1600℃）（），硬度高，不稳定；β-Si3N4高温型：长柱状或斜状晶体，韧性强。
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是()层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
对下列材料的特征及用途的说法不正确的是（）。
A、玻璃纤维柔软如丝，可像棉纱一样纺织，但拉伸强度低
B、光导纤维传导光的能力很强，是非常好的通讯材料
C、氮化硅陶瓷耐高温且不易传热，可用于制造柴油机
开发新材料是现代科技发展的方向之一。下列有关材料的说法正确的是
A.氮化硅陶瓷是新型无机非金属材料
B.C60属于原子晶体，用于制造纳米材料
C.纤维素乙酸酯属于天然高分子材料
D.单晶硅常用于制造光导纤维
氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料，它可通过以下反应制得：3SiO2＋ 6C ＋ 2N2
Si3N4＋6CO，有关说法不正确的是 （）
A．该反应的平衡常数表达式为
B．若增大压强，则上述平衡向逆反应方向移动
C．该反应中只有N2是氧化剂
D．该反应在高温下反应，△H一定大于零
（14分)氮化硅（Si3N4)是一种新型陶瓷材料，它可由石英与焦炭在高温的氮气流中，通过以下反应制得：
SiO2+ C+ N2
Si3N4+ CO
（1)配平上述反应的化学方程式（将化学计量数填在方框内)；
（2)该反应中的氧化剂是____\_，其还原产物是___________；
（3)该反应的平衡常数表达式为K=_______；
（4)若知上述反应为放热反应，则其反应热ΔH_____\__零（填“大于”“小于”或“等于”)；升高温度，其平衡常数值_______（填“增大”“减小”或“不变”)；
（5)若使压强增大，则上述平衡向_______反应方向移动（填“正”或“逆”)；
（6)若已知CO生成速率为v（CO)="18"mol·（L·min)－1,
则N2消耗速率为v（N2)=_______mol·（L·min)－1。